金属積層膜の製造方法、半導体装置の製造方法、及び液晶表示装置の製造方法

複数の金属膜ＣＦ１，ＣＦ２，ＣＦ３が積層されてなる積層膜を形成する積層膜形成工程と、積層膜形成工程の後に、積層膜上にパターニングされた開口Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を有するレジスト膜Ｐ１を形成するレジスト形成工程と、レジスト形成工程の後に、積層膜をドライエッチングすることで、開口Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３に露出する範囲において積層膜の上層側に位置する少なくとも一つの金属膜ＣＦ３を除去するドライエッチング工程と、ドライエッチング工程の後に、積層膜をウェットエッチングすることで、少なくとも開口に露出する範囲に残存する金属膜ＣＦ２，ＣＦ３を除去するウェットエッチング工程と、を備える。